Немецкий производитель модулей оперативной памяти, компания Infineon претендует на то, что произведенный ей гигабитный модуль DDR SDRAM является самым миниатюрным чипом данного типа. Представленная Infineon микросхема производится по 110-нанометровой технологии. Микросхема 1 Гбит DRAM (SDRAM) имеет размер в 160 мм2. Для нее используется стандартный 66-пиновый корпус TSOP или же в 68-пиновый FBGA. Возможны комбинации x4, x8 и x16. Значения новых модулей DDR лежат в пределах от DDR266 до DDR400 с возможной рабочей частотой от 133 до 200 МГц.

По заявлению компании, планируется использовать такую упаковку и для создания модулей емкостью в 4 Гб. Infineon также планирует выпускать модули памяти SO-DIMM для ноутбуков, емкостью в 1 и 2 Гб. Начало продаж новых модулей намечено на начало следующего года.

КомпьюЛента