Чипы Samsung DRAM. Фото с сайта sijapan.com

В ходе рассмотрения дела по сговору компании Samsung и ряда других производителей полупроводников с целью контроля над ценами на модули оперативной памяти DRAM, три топ-менеджера Samsung были приговорены к тюремному заключению, сообщает New York Times.

Вынесенный вердикт стал итогом судебного разбирательства, которое длилось без малого три года. Ряд крупнейших производителей проводников, таких как Samsung, Hynix, Infineon и Eplida обвинялся в сговоре с целью контроля над ценами на модули DRAM в период с апреля 1999 по июнь 2002 года.

Помимо тюремного заключения сроком от 7 до 8 месяцев, сотрудников Samsung обязали выплатить штраф в размере 250 тысяч долларов. Стоит отметить, что точно такой же вердикт был вынесен представителям компании Hynix месяцем ранее. К заключению были приговорены также и представители Infineon в 2004 году.

В 2005 финансовые санкции в связи с делом о сговоре комнулись непосредственно самих компаний: крупнейший мировой производитель полупроводников Samsung выплатил штрафов на сумму в 300 миллионов, следующий за ним в мировом рейтинге Hynix заплатил185, Infineon - 160, а Elpida - 84 миллиона долларов.