Чипы Samsung DRAM. Фото с сайта sijapan.com

Глава американского подразделения компании Samsung Пак н Хван (Park Young-hwan) проведет в тюрьме 10 месяцев. Он признал, что вступил в сговор с рядом других компаний-производителей модулей оперативной памяти DRAM в 2001-2002 годах, когда занимал пост вице-президента Samsung по продажам. Об этом сообщает Тhe Korea Times.

Парк стал уже пятым топ-менеджером Samsung, который попал в тюрьму в связи с этим делом. Он также выплатит 250 тысяч долларов штрафа.

В 2005 году году вице-президент по маркетингу компании Samsung Semiconductor Томас Куинн (Thomas Quinn) был приговорен к восьми месяцам заключения, а в марте 2006 года еще три топ-менеджера Samsung попали в тюрьму. Помимо заключения сроком от 7 до 8 месяцев, сотрудников компании обязали выплатить штраф в размере 250 тысяч долларов.

Суд США вынес в 2005 году решение, согласно которому компания Samsung Electronics и ее "дочка" Samsung Semiconductor должны выплатить за ценовой сговор 300 миллионов долларов. Это стало вторым по величине штрафом в истории американских антимонопольных разбирательств. Cудебное разбирательство по делу длилось более трех лет.

The DRAM является модулем памяти, который чаще всего используется в персональных компьютерах по всему миру. Samsung является крупнейшим в мире производителем чипов DRAM.